来源：Yole Group

东芝电子元件及存储设备株式会社（简称“东芝”）在其核心公司之一、位于日本石川县的加贺东芝电子举行了功率半导体300毫米晶圆制造新厂地及办公楼的竣工仪式。该项目竣工是东芝多年投资计划第一阶段的一个重要里程碑。东芝现在将着手安装设备，争取在2024 财年下半年开始量产。一旦第一阶段全面投入运营，东芝的功率半导体（主要为MOSFET[1] 和 IGBT[2]）产能将达到制定投资计划的 2021 财年的 2.5 倍[3]。第二阶段的建设和投入运营的决定将反映市场趋势。

新的制造大楼将遵循东芝的业务连续性计划(BCP) 并做出重大贡献：它具有吸收地震冲击和冗余电源的隔震结构。

通过使用人工智能（AI），其产品质量和生产效率将得到提升。东芝预计将获得日本经济产业省对其部分制造设备投资的补贴。

功率半导体在电力供应和控制中发挥着至关重要的作用，是所有电气设备节能必不可少的器件。随着汽车电气化和工业机械自动化的不断推进，预计需求将继续强劲增长。东芝于2022 财年下半年在加贺东芝电子现有工厂的300 毫米晶圆新生产线上开始生产功率半导体。未来，该公司将利用新工厂扩大生产，进一步为碳中和做出贡献。

原文链接：

https://www.yolegroup.com/industry-news/toshiba-completes-new-300-millimeter-wafer-fabrication-facility-for-power-semiconductors/

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